半导体检测涵盖多种技术，其中部分技术借助激光器对制造过程中的半导体晶圆进行计量与检测。相关检测手段包括干涉测量、椭偏测量、颗粒分析、光致发光、荧光与拉曼光谱等。

干涉测量

干涉测量通常用于测量衬底的平整度。相干激光束照射晶圆表面后，反射光形成干涉图样并加以分析。获取可靠的干涉图样要求激光器具备良好的光束质量、长相干长度以及优异的波长与指向稳定性。

椭偏测量

椭偏测量是一种用途灵活的技术，可分析多种材料性质，例如成分、粗糙度、结晶特性、掺杂浓度、电导率与折射率。该技术基于分析入射光与被研究材料相互作用过程中偏振态的变化。虽然光学技术受衍射极限的固有约束，椭偏测量通过利用相位信息（偏振态），能够提供比所用光波长更薄的薄层信息，从而实现亚纳米分辨率。

激光器特性

HÜBNER Photonics用于半导体检测中干涉测量与椭偏测量的激光器为Cobolt二极管泵浦激光器（DPL）。此类激光器本质上为单频运转，具备优异的功率稳定性、光束轮廓与低噪声特性。

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